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24LC256T-E/SNフラッシュ・メモリのデータ記憶EEPROM I2C 256Kビット8 Pin SOIC N T/R

24LC256T-E/SNフラッシュ・メモリのデータ記憶EEPROM I2C 256Kビット8 Pin SOIC N T/R

24LC256T-E/SN Flash Memory Data Storage EEPROM I2C 256K bit 8 Pin SOIC N T/R
24LC256T-E/SN Flash Memory Data Storage EEPROM I2C 256K bit 8 Pin SOIC N T/R

大画像 :  24LC256T-E/SNフラッシュ・メモリのデータ記憶EEPROM I2C 256Kビット8 Pin SOIC N T/R ベストプライス

商品の詳細:
起源の場所: タイ
ブランド名: Microchip
モデル番号: 24LC256T-E/SN
お支払配送条件:
最小注文数量: パッケージQty
価格: contact sales for updated price
パッケージの詳細: テープおよび巻き枠
受渡し時間: 2週
支払条件: T/T
供給の能力: 1000+
詳細製品概要
ハイライト:

フラッシュ・メモリのデータ記憶EEPROM

,

フラッシュ・メモリのデータ記憶I2C

,

24lc256t eのsn

24LC256T-E/SNマイクロチップEEPROMの連続I2C 256Kビット32K X 8 3.3V/5V 8 Pin SOIC N T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS 迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 活動的
自動車 いいえ
PPAP いいえ
破片密度(ビット) 256K
構成 32Kx8
プログラム可能性 はい
データ保持(年) 200 (分)
最高。アクセス時間(ns) 900
最高の動作周波数(MHz) 0.4
加工技術 CMOS 加工技術はトランジスター技術、最低のトランジスター ゲートの長さおよび接続の金属の層で指定される集積回路を製造するのに回路素子に使用する製造工程を記述する。
インターフェイスの種類 連続I2C
最低の作動の供給電圧(v) 2.5
典型的な作動の供給電圧(v) 5|3.3
最高の作動の供給電圧(v) 5.5
プログラミングの電圧(v) 2.5から5.5
動作電流(mA) 3
最低の実用温度(°C) -40
最高使用可能温度(°C) 85
製造者の温度の等級 産業
ハードウェア データ保護 はい
包装 テープおよび巻き枠
単語(ビット)ごとのビットの数 8
ピン・カウント 8
標準パッケージの名前 SOP
製造者のパッケージ SOIC N
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 1.25 (分)
パッケージの長さ 4.9
パッケージの幅 3.9
PCBは変わった 8
鉛の形 カモメ翼

 

 

 

関連P/N:  24LC256T-I/SN

連絡先の詳細
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

コンタクトパーソン: peter

電話番号: +8613211027073

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