フラッシュ・メモリのデータ記憶

24LC512-I/SMマイクロチッププロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態 活動的 自動車 いいえ PPAP いいえ 破片密度（ビット） 512K 構成 64Kx8 住所バス幅（ビット） 3 プログラム可能性 はい データ保持（年） 200 （分） ... 続きを読む ベストプライス

24LC256-I/SMマイクロチップEEPROMの連続I2C 256Kビット32K X 8 3.3V/5V 8 Pin SOIJの管プロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態 活動的 自動車 いいえ PPAP いいえ 破片密度（ビット） 256K 構成 ... 続きを読む ベストプライス

24LC01B-I/SNマイクロチップEEPROM連続2Wire 1Kビット128 x 8 3.3V/5V 8 Pin SOIC Nの管プロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態 活動的 自動車 いいえ PPAP いいえ 破片密度（ビット） 1K 構成 ... 続きを読む ベストプライス

24LC64T-I/SNマイクロチップ連続EEPROM、64KBIT、400KHZ、SOIC-8プロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態 活動的 自動車 いいえ PPAP いいえ 破片密度（ビット） 64K 構成 8Kx8 住所バス幅（ビット） 3 プロ... 続きを読む ベストプライス

MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87Jミクロン否定論履積ベースのMCPプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） 3A991.b.1.a 部分の状態 活動的 HTS 8542.32.00.71 自動車 いいえ PPAP いいえ 製造者のパッケージ WFBGA ... 続きを読む ベストプライス

KMQE60013B-B318サムスンの複数の破片のパッケージの記憶（MCP）プロダクト技術仕様 EU RoHS 未確認製造者 部分の状態 活動的 自動車 いいえ PPAP いいえ... 続きを読む ベストプライス

KMFN60012B-B214サムスンのフラッシュ・メモリのデータ記憶SMD 続きを読む ベストプライス

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87Jミクロン否定論履積ベースのMCPプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） 3A991.b.1.a 部分の状態 活動的 HTS 8542.32.00.71 自動車 いいえ PPAP いいえ 製造者のパッケージ WFBGA... 続きを読む ベストプライス

MT29TZZZ8D5JKERL--107W.95Eミクロン8GBのeMMCおよび8Gb移動式LPDDR3 MCPプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） 3A991b.1.a. 部分の状態 時代遅れ 自動車 いいえ PPAP いいえ フラッシュ・メモリのサイズ（ビット） ... 続きを読む ベストプライス

TC58NYG0S3HBAI6東芝否定論履積の抜け目がない平行1.8V 1Gビット128M x 8 67 Pin VFBGAプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） 3A991.b.1.a 部分の状態 活動的 自動車 未知数 PPAP 未知数 細胞のタイプ 否定論履積 破片密度... 続きを読む ベストプライス