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NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD

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NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD

大画像 : NX7002AK NEXPERIAの電界効果トランジスタFET SOT23 TO-236AB表面によって取付けられるD ベストプライス

商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	NEXPERIA
モデル番号:	NX7002AK

お支払配送条件:

最小注文数量:	パッケージQty
価格:	contact sales for updated price
パッケージの詳細:	テープおよび巻き枠
受渡し時間:	2週
支払条件:	T/T
供給の能力:	1000+

詳細製品概要

ハイライト:

NEXPERIAの電界効果トランジスタ

表面の取付けられた電界効果トランジスタ

NX7002AK

小さいSOT23 （TO-236AB）のNX7002AK NEXPERIAのN-channelの強化モードField-Effectのトランジスター（FET）はDを表面取付けた

プロダクト技術仕様

EU RoHS	迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	活動的
SVHC	はい
自動車	いいえ
PPAP	いいえ
製品カテゴリ	小さい信号
構成	単一
加工技術	TMOS
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	60
最高のゲート源電圧（v）	20
最高のゲートの境界の電圧（v）	2.1
最高の連続的な下水管現在の（a）	0.19
最高のゲートの源の漏出流れ（nA）	2000年
最高IDSS （uA）	1
最高の下水管の源の抵抗（MOhm）	4500@10V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）	0.33@4.5V
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	15@10V
最高の電力損失（MW）	325
典型的な落下時間（ns）	5
典型的な上昇時間（ns）	7
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	11
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	6
最低の実用温度（°C）	-55
最高使用可能温度（°C）	150
包装	テープおよび巻き枠
製造者のパッケージ	SOT-23
ピン・カウント	3
標準パッケージの名前	SOT
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	1 （最高）
パッケージの長さ	3 （最高）
パッケージの幅	1.4 （最高）
PCBは変わった	3
鉛の形	カモメ翼