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MPN: | BSS308PEH6327XTSA1 | MFR: | Infineon |
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部門: | MOSFET | サイズ: | 1*1.3*2.9mm |
ハイライト: | 高い発電MOSFET 30V,高い発電MOSFET 2A,BSS308PEH6327XTSA1 |
EU RoHS | 迎合的 |
ECCN (米国) | EAR99 |
部分の状態 | 活動的 |
自動車 | はい |
PPAP | 未知数 |
製品カテゴリ | 小さい信号 |
構成 | 単一 |
加工技術 | OptiMOS |
チャネル モード | 強化 |
チャネル タイプ | P |
破片ごとの要素の数 | 1 |
最高の下水管の源の電圧(v) | 30 |
最高のゲート源電圧(v) | ±20 |
最高の連続的な下水管現在の(a) | 2 |
最高の下水管の源の抵抗(MOhm) | 80@10V |
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) | 5@10V |
典型的なゲート充満@ 10V (NC) | 5 |
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) | 376@15V |
最高の電力損失(MW) | 500 |
典型的な落下時間(ns) | 2.8 |
典型的な上昇時間(ns) | 7.7 |
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) | 15.3 |
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) | 5.6 |
最低の実用温度(°C) | -55 |
最高使用可能温度(°C) | 150 |
包装 | テープおよび巻き枠 |
製造者のパッケージ | SOT-23 |
ピン・カウント | 3 |
標準パッケージの名前 | SOT-23 |
土台 | 表面の台紙 |
パッケージの高さ | 1 (最高) |
パッケージの長さ | 2.9 |
パッケージの幅 | 1.3 |
PCBは変わった | 3 |
鉛の形 | カモメ翼 |
コンタクトパーソン: peter
電話番号: +8613211027073