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MPN: | IRFB7545PBF | MFR: | Infineon |
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部門: | MOSFET | サイズ: | 9.02*10.67*4.83mm |
ハイライト: | N-CH IRFB7545 Mosfet Pinout,IRFB7545 Mosfet Pinout 60V,IRFB7545PBF |
EU RoHS | 免除と迎合的 |
ECCN (米国) | EAR99 |
部分の状態 | 活動的 |
自動車 | いいえ |
PPAP | いいえ |
製品カテゴリ | 力MOSFET |
構成 | 単一 |
加工技術 | HEXFET |
チャネル モード | 強化 |
チャネル タイプ | N |
破片ごとの要素の数 | 1 |
最高の下水管の源の電圧(v) | 60 |
最高のゲート源電圧(v) | ±20 |
最高のゲートの境界の電圧(v) | 3.7 |
最高の連続的な下水管現在の(a) | 95 |
最高のゲートの源の漏出流れ(nA) | 100 |
最高IDSS (uA) | 1 |
最高の下水管の源の抵抗(MOhm) | 5.9@10V |
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) | 75@10V |
典型的なゲート充満@ 10V (NC) | 75 |
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) | 4010@25V |
最高の電力損失(MW) | 125000 |
典型的な落下時間(ns) | 43 |
典型的な上昇時間(ns) | 72 |
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) | 44 |
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) | 12 |
最低の実用温度(°C) | -55 |
最高使用可能温度(°C) | 175 |
包装 | 管 |
製造者のパッケージ | TO-220AB |
ピン・カウント | 3 |
標準パッケージの名前 | TO-220 |
土台 | 穴を通して |
パッケージの高さ | 9.02 (最高) |
パッケージの長さ | 10.67 (最高) |
パッケージの幅 | 4.83 (最高) |
PCBは変わった | 3 |
タブ | タブ |
鉛の形 | 穴を通して |
コンタクトパーソン: peter
電話番号: +8613211027073