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商品の詳細:
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| MPN: | IRFB7545PBF | MFR: | Infineon |
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| 部門: | MOSFET | サイズ: | 9.02*10.67*4.83mm |
| ハイライト: | N-CH IRFB7545 Mosfet Pinout,IRFB7545 Mosfet Pinout 60V,IRFB7545PBF |
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| EU RoHS | 免除と迎合的 |
| ECCN (米国) | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | 力MOSFET |
| 構成 | 単一 |
| 加工技術 | HEXFET |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | N |
| 破片ごとの要素の数 | 1 |
| 最高の下水管の源の電圧(v) | 60 |
| 最高のゲート源電圧(v) | ±20 |
| 最高のゲートの境界の電圧(v) | 3.7 |
| 最高の連続的な下水管現在の(a) | 95 |
| 最高のゲートの源の漏出流れ(nA) | 100 |
| 最高IDSS (uA) | 1 |
| 最高の下水管の源の抵抗(MOhm) | 5.9@10V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs (NC) | 75@10V |
| 典型的なゲート充満@ 10V (NC) | 75 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) | 4010@25V |
| 最高の電力損失(MW) | 125000 |
| 典型的な落下時間(ns) | 43 |
| 典型的な上昇時間(ns) | 72 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) | 44 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間(ns) | 12 |
| 最低の実用温度(°C) | -55 |
| 最高使用可能温度(°C) | 175 |
| 包装 | 管 |
| 製造者のパッケージ | TO-220AB |
| ピン・カウント | 3 |
| 標準パッケージの名前 | TO-220 |
| 土台 | 穴を通して |
| パッケージの高さ | 9.02 (最高) |
| パッケージの長さ | 10.67 (最高) |
| パッケージの幅 | 4.83 (最高) |
| PCBは変わった | 3 |
| タブ | タブ |
| 鉛の形 | 穴を通して |
コンタクトパーソン: peter
電話番号: +8613211027073