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高い発電MOSFET NTJD1155L 二重P-Channelの水平な転位8V ±1.3A 175mΩが付いている高い側面の負荷スイッチ2022-05-30 21:34:08 |
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高い発電MOSFET NTJD4001N 二重N-Channel小さい信号MOSFET 30V 250mA 1.5Ω2022-05-30 21:34:08 |
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高い発電MOSFET NTJD4105C 補足の小さい信号MOSFET2022-05-30 21:34:08 |
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高い発電MOSFET NTJD4152P ESDの保護20V 0.88A 260mΩの二重P-Channelの小さい信号2022-05-30 21:34:08 |
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高い発電MOSFET NTJD4158C 補足の小さい信号MOSFET2022-05-30 21:34:08 |
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高い発電MOSFET NTJD4401N ESDの保護20V 630mA 375mΩの二重N-Channelの小さい信号2022-05-30 21:34:08 |
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高い発電MOSFET NTJS3151P ESDの保護-12V -3.3A 60mΩの単一のP-Channelの堀2022-05-30 21:34:09 |
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高い発電MOSFET NTJS3157N 単一のN-Channelの堀20V 4.0A 60mΩ2022-05-30 21:34:09 |
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高い発電MOSFET NTJS4151P P−Channelの単一の堀20V 4.2A 60mΩ2022-05-30 21:34:09 |
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高い発電MOSFET NTJS4405N 単一のN-Channel小さい信号MOSFET 25V 1.2A 350mΩ2022-05-30 21:34:09 |
