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高い発電MOSFET NDS352AP P-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタ30V 0.9A 300mΩ2022-05-30 21:42:11 |
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高い発電MOSFET NDS355AN N-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタ30V 1.7A 85mΩ2022-05-30 21:42:11 |
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高い発電MOSFET NDT451AN N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ30V 7.2A 35mΩ2022-05-30 21:42:12 |
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高い発電MOSFET NDT452AP P-Channelの強化モード電界効果トランジスタ30V 5A 65mΩ2022-05-30 21:42:13 |
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高い発電MOSFET NSM3005NZ N−Channel 20V小さい信号PNP BJT 30Vとの224 mA 500 mA2022-05-30 21:42:13 |
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高い発電MOSFET NTA7002N 単一のN-ChannelのゲートESDの保護30V 154mA 7Ω2022-05-30 21:42:13 |
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高い発電MOSFET MCH6341 単一のP-Channel 30V 5A 59mΩ2022-05-30 21:45:58 |
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高い発電MOSFET MGSF1N03Lの単一のN-Channel小さい信号30V 2.1A 100のmΩ2022-05-30 21:45:58 |
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高い発電MOSFET FDS6612A 単一のN-Channel、論理のレベル、力Trench<sup>®</sup> 30V 8.4A 22mΩ2022-05-30 21:58:37 |
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高い発電MOSFET FDS6670A 単一のN-Channelの論理のレベルPowerTrench<sup>®</sup> 30V 13A 8mΩ2022-05-30 21:58:37 |
