2N7002LT1G ONSEMI MosfetのトランジスターN-CH 60V 0.115A 3 Pin SOT-23 T/R

オン・セミコンダクターのMOSFETsはオン州の抵抗の間を最小にするように提供する険しく、信頼できる、速い転換の性能を設計されていた。その最高の電力損失は300 MWである。プロダクトの最高の下水管の源の電圧は60ボルトであり、ゲート源電圧は±20 V.である。このMOSFETは-55°Cに150°C.の実用温度範囲を備えている。

特徴および利点:
•独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のための2V接頭辞;AEC-Q101は可能なPPAP修飾し、（2V7002L）
•自由なこれらの装置はPbなし、ハロゲンFree/BFRで、迎合的なRoHSである

適用:
•サーボ運動制御
•力MOSFETのゲートの運転者