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DMN62D0U-7ダイオードTRANS MOSFET N CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T/R

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DMN62D0U-7ダイオードTRANS MOSFET N CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T/R

大画像 : DMN62D0U-7ダイオードTRANS MOSFET N CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T/R ベストプライス

商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	DIODES
モデル番号:	DMN62D0U-7

お支払配送条件:

最小注文数量:	パッケージQty
価格:	contact sales for updated price
パッケージの詳細:	テープおよび巻き枠
受渡し時間:	2週
支払条件:	T/T
供給の能力:	1000+

詳細製品概要

ハイライト:

TRANS MOSFET 60V

TRANS MOSFET N CH

DMN62D0U-7 0.38A

DMN62D0U-7ダイオードTRANS MOSFET N-CH 60V 0.38A 3 Pin SOT-23 T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS	迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	活動的
自動車	いいえ
PPAP	いいえ
製品カテゴリ	小さい信号
構成	単一
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	60
最高のゲート源電圧（v）	±20
最高のゲートの境界の電圧（v）	1
作動の接合部温度（°C）	-55から150
最高の連続的な下水管現在の（a）	0.38
最高のゲートの源の漏出流れ（nA）	10000
最高IDSS （uA）	1
最高の下水管の源の抵抗（MOhm）	2000@4.5V
典型的なゲート充満@ Vgs （NC）	0.5@4.5V
充満（NC）を流出させる典型的なゲート	0.09
源充満（NC）への典型的なゲート	0.09
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	32@30V
典型的な逆の移動キャパシタンス@ Vds （pF）	2.4@30V
最低のゲートの境界の電圧（v）	0.5
典型的な出力キャパシタンス（pF）	3.9
最高の電力損失（MW）	590
典型的な落下時間（ns）	12.5
典型的な上昇時間（ns）	2.5
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	22.6
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	2.4
最低の実用温度（°C）	-55
最高使用可能温度（°C）	150
製造者の温度の等級	自動車
包装	テープおよび巻き枠
PCB @ TC=25°Cの（w）最高の電力損失	0.59
脈打つ最高は流れ@ TC=25°Cを流出させる（a）	1.2
PCB （°C/W）の最高の接続点の包囲された熱抵抗	338
典型的なダイオード前方電圧（v）	0.8
典型的なゲートのプラトーの電圧（v）	1.8
最高のダイオード前方電圧（v）	1.3
最高の肯定的なゲート源電圧（v）	20
PCB @ TC=25°Cの（a）最高の連続的な下水管の流れ	0.38
製造者のパッケージ	SOT-23
ピン・カウント	3
標準パッケージの名前	SOT
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	0.98
パッケージの長さ	2.9
パッケージの幅	1.3
PCBは変わった	3
鉛の形	カモメ翼