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ミクロンの連続フラッシュ・メモリのデータ記憶M25PE16-VMW6TG 16Mビット2M x 8 8ns

ミクロンの連続フラッシュ・メモリのデータ記憶M25PE16-VMW6TG 16Mビット2M x 8 8ns

Micron Serial Nor Flash Memory Data Storage M25PE16-VMW6TG 16M bit 2M x 8 8ns
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大画像 :  ミクロンの連続フラッシュ・メモリのデータ記憶M25PE16-VMW6TG 16Mビット2M x 8 8ns ベストプライス

商品の詳細:
起源の場所: 韓国
ブランド名: MICRON
モデル番号: M25PE16-VMW6TG
お支払配送条件:
最小注文数量: パッケージQty
価格: contact sales for updated price
パッケージの詳細: テープおよび巻き枠
受渡し時間: 2週
支払条件: T/T
供給の能力: 1000+
詳細製品概要
ハイライト:

フラッシュ・メモリのデータ記憶2M x 8 8ns

,

m25pe16 vmw6tg 16Mビット

,

ミクロンの連続フラッシュ・メモリ

M25PE16-VMW6TGミクロン抜け目がない連続SPI 3.3V 16Mビット2M x 8 8ns 8 Pin SOIC W T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS 迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 時代遅れ
HTS 8542.32.00.71
自動車 いいえ
PPAP いいえ
細胞のタイプ
破片密度(ビット) 16M
建築 Sectored
ブート ブロック いいえ
ブロック構成 対称
住所バス幅(ビット) 1
セクタ サイズ 64Kbyte X 32
ページ サイズ 256byte
ビット/単語(ビット)の数 8
単語の数 2M
プログラム可能性 はい
タイミングのタイプ 同期
最高。アクセス時間(ns) 8
最高の消去の時間(S) 5/Sector
最高のプログラミングの時間(氏) 3/Page
インターフェイスの種類 連続SPI
最低の作動の供給電圧(v) 2.7
典型的な作動の供給電圧(v) 3.3
最高の作動の供給電圧(v) 3.6
プログラミングの電圧(v) 2.7から3.6
動作電流(mA) 12
プログラム流れ(mA) 15
最低の実用温度(°C) -40
最高使用可能温度(°C) 85
製造者の温度の等級 産業
互換性がある命令 いいえ
ECCサポート いいえ
ページ モードのサポート はい
包装 テープおよび巻き枠
製造者のパッケージ SOIC W
ピン・カウント 8
標準パッケージの名前 SOP
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 1.91 (最高)
パッケージの長さ 5.49 (最高)
パッケージの幅 5.49 (最高)
PCBは変わった 8
鉛の形 カモメ翼

連絡先の詳細
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

コンタクトパーソン: peter

電話番号: +8613211027073

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