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B82442A1222K000 EPCOS誘導器一般目的の破片のドラム中心2.2uH 7.96MHz 1.3A

B82442A1222K000 EPCOS誘導器一般目的の破片のドラム中心2.2uH 7.96MHz 1.3A

B82442A1222K000 EPCOS Inductor General Purpose Chip Drum Core 2.2uH 7.96MHz 1.3A
B82442A1222K000 EPCOS Inductor General Purpose Chip Drum Core 2.2uH 7.96MHz 1.3A B82442A1222K000 EPCOS Inductor General Purpose Chip Drum Core 2.2uH 7.96MHz 1.3A

大画像 :  B82442A1222K000 EPCOS誘導器一般目的の破片のドラム中心2.2uH 7.96MHz 1.3A ベストプライス

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: EPCOS
モデル番号: B82442A1222K000
お支払配送条件:
最小注文数量: パッケージQty
価格: contact sales for updated price
パッケージの詳細: テープおよび巻き枠
受渡し時間: 2週
支払条件: T/T
供給の能力: 1000+
詳細製品概要
ハイライト:

EPCOS誘導器一般目的

,

EPCOS誘導器2.2uH 7.96MHz

B82442A1222K000 EPCOS誘導器一般目的の破片のドラム中心2.2uH 10%の7.96MHz 10Q要因亜鉄酸塩1.3A 0.048Ohm DCR 222

プロダクト技術仕様

EU RoHS 迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 時代遅れ
自動車 はい
PPAP 未知数
タイプ 一般目的の破片
技術 ドラム中心
中心材料 亜鉄酸塩
インダクタンス(h) 2.2u
インダクタンス減少パーセント@ Isat (%) 10
許容 10%
インダクタンス テスト頻度(Hz) 7.96M
最高DC現在の(a) 1.3
最高の飽和電流(a) 1.3
最高DCの抵抗(オーム) 0.048
最低の質要因 10
質テスト頻度(Hz) 7.96M
最低の自己の共振周波数(Hz) 42M
ターミナルの数 2
場合のサイズ 2220
最低の実用温度(°C) -55
最高使用可能温度(°C) 150
包装 テープおよび巻き枠
プロダクト長さ(mm) 5.9
土台 表面の台紙
プロダクト深さ(mm) 5.3
プロダクト高さ(mm) 5.3

連絡先の詳細
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

コンタクトパーソン: peter

電話番号: +8613211027073

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