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商品の詳細:
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| MPN: | BSP322PH6327XTSA1 | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| 部門: | MOSFET | サイズ: | 6.5*3.5*1.6mm |
| ハイライト: | BSP322PH6327XTSA1 PチャネルMosfet,チャネルMosfet 100V 1A,自動車pのタイプmosfet |
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| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 自動車 | はい |
| PPAP | 未知数 |
| 製品カテゴリ | 小さい信号 |
| 構成 | 単一の二重下水管 |
| 加工技術 | SIPMOS |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | P |
| 破片ごとの要素の数 | 1 |
| 最高の下水管の源の電圧（v） | 100 |
| 最高のゲート源電圧（v） | ±20 |
| 最高のゲートの境界の電圧（v） | 1 |
| 最高の連続的な下水管現在の（a） | 1 |
| 最高の下水管の源の抵抗（MOhm） | 800@10V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs （NC） | 12.4@10V |
| 典型的なゲート充満@ 10V （NC） | 12.4 |
| 充満（NC）を流出させる典型的なゲート | 4.3 |
| 源充満（NC）への典型的なゲート | 0.8 |
| 典型的な逆の回復充満（NC） | 84 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） | 280@25V |
| 典型的な出力キャパシタンス（pF） | 70 |
| 最高の電力損失（MW） | 1800 |
| 典型的な落下時間（ns） | 8.3 |
| 典型的な上昇時間（ns） | 4.3 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） | 21.2 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間（ns） | 4.6 |
| 最低の実用温度（°C） | -55 |
| 最高使用可能温度（°C） | 150 |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| ピン・カウント | 4 |
| 標準パッケージの名前 | SOT |
| 製造者のパッケージ | SOT-223 |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 1.6 |
| パッケージの長さ | 6.5 |
| パッケージの幅 | 3.5 |
| PCBは変わった | 3 |
| タブ | タブ |
| 鉛の形 | カモメ翼 |
コンタクトパーソン: peter
電話番号: +8613211027073
