|
![]() |
高い発電MOSFET FDD10AN06A0
N-Channel PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET 60V、50A、10.5mΩ
2022-05-30 22:15:57
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC8886
N-Channel力Trench<sup>®</sup> MOSFET、30ボルト、6.5 Aの23 mΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC8878
N-Channel力Trench<sup>®</sup> MOSFET、30ボルト、8.0 Aの16 mΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC86244
N-Channelによって保護されるゲート力Trench<sup>®</sup> 150V 2.3A 144のmΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC8602
二重N-Channelによって保護されるゲートPowerTrench<sup>®</sup> 100 V、1.2 Aの350 mΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC8601
N-Channelによって保護されるゲート力Trench<sup>®</sup> MOSFET、100ボルト、2.7 Aの109 mΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC855N
N-Channel、PowerTrench<sup>®</sup> MOSFETの論理のレベル、30V、6.1A、27mΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC658P
単一のP-Channelの論理のレベル30V 4A 50mΩ
2022-05-30 22:15:56
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC658AP
単一のP-Channelの論理のレベル30V 4A 50mΩ
2022-05-30 22:15:55
|
![]() |
高い発電MOSFET FDC6561AN
二重N-Channelの論理のレベル30V 2.5A 95mΩ
2022-05-30 22:15:55
|