BSS138LT1G Onsemi Mosfet TRANS N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

BSS138LT1G ONsemi TRANS MOSFET N-CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

オン・セミコンダクターMOSFETは強化モードで作動するNチャネルMOSFETのトランジスターである。その最高の電力損失は225 MWである。プロダクトの最高の下水管の源の電圧は50ボルトであり、ゲート源電圧は±20 V.である。このMOSFETは-55°Cに150°C.の実用温度範囲を備えている。

特徴および利点:
•低い境界の電圧（VGS （Th）:0.85 V-1.5 V）はそれを低電圧の適用にとって理想的にさせる
•ミニチュアSOT-23表面の台紙のパッケージは板スペースを節約する
•独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のためのBVSSの接頭辞;AEC-Q101は可能なPPAP修飾し、
•自由なこれらの装置はPbなし、ハロゲンFree/BFRで、迎合的なRoHSである

適用:
•DC-DCのコンバーター
•コンピュータのような携帯用および電池式プロダクトの力管理
•プリンター
•PCMCIAカード
•細胞およびコードレス電話。