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MMBT3904LT1G ONSEMI TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3 Pin SOT-23 T/R

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MMBT3904LT1G ONSEMI TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3 Pin SOT-23 T/R

大画像 : MMBT3904LT1G ONSEMI TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3 Pin SOT-23 T/R ベストプライス

商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	ONSEMI
モデル番号:	MMBT3904LT1G

お支払配送条件:

最小注文数量:	パッケージQty
価格:	contact sales for updated price
パッケージの詳細:	テープおよび巻き枠
受渡し時間:	2週
支払条件:	T/T
供給の能力:	1000+

詳細製品概要

ハイライト:

ONSEMI TRANS GP BJT NPN

TRANS GP BJT NPN 40V

MMBT3904LT1G 300mW

MMBT3904LT1G ONSEMI TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3 Pin SOT-23 T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS	迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	活動的
自動車	いいえ
PPAP	いいえ
タイプ	NPN
製品カテゴリ	両極小さい信号
材料	Si
構成	単一
破片ごとの要素の数	1
最高のコレクターの基礎電圧（v）	60
最高のCollector-Emitter電圧（v）	40
最高のエミッターの基礎電圧（v）	6
作動の接合部温度（°C）	-55から150
最高の基礎エミッターの飽和電圧（v）	0.85@1mA @10mA\|0.95@5mA @50mA
最高のCollector-Emitterの飽和電圧（v）	0.2@1mA @10mA\|0.3@5mA @50mA
最高DCのコレクター流れ（a）	0.2
最低DCの現在の利益	40@0.1mA @1V\|70@1mA @1V\|100@10mA @1V\|60@50mA @1V\|30@100mA @1V
最高の電力損失（MW）	300
最高の転移の頻度（MHz）	300 （分）
最低の実用温度（°C）	-55
最高使用可能温度（°C）	150
包装	テープおよび巻き枠
ピン・カウント	3
標準パッケージの名前	SOT
製造者のパッケージ	SOT-23
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	0.94
パッケージの長さ	2.9
パッケージの幅	1.3
PCBは変わった	3
鉛の形	カモメ翼