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2N7002DW-7-F N CH Mosfet TRANS 60V 0.23A 6 Pin SOT-363 T/R

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2N7002DW-7-F N CH Mosfet TRANS 60V 0.23A 6 Pin SOT-363 T/R

大画像 : 2N7002DW-7-F N CH Mosfet TRANS 60V 0.23A 6 Pin SOT-363 T/R ベストプライス

商品の詳細:

起源の場所:	中国
ブランド名:	DIODES
モデル番号:	2N7002DW-7-F

お支払配送条件:

最小注文数量:	パッケージQty
価格:	contact sales for updated price
パッケージの詳細:	テープおよび巻き枠
受渡し時間:	2週
支払条件:	T/T
供給の能力:	1000+

詳細製品概要

ハイライト:

N CH Mosfet 60V

N CH Mosfet 0.23A

2N7002DW-7-F 6 Pin

2N7002DW-7-FダイオードTRANS MOSFET N-CH 60V 0.23A 6 Pin SOT-363 T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS	迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	活動的
HTS	8541.21.00.95
自動車	いいえ
PPAP	いいえ
製品カテゴリ	小さい信号
構成	二重
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	2
最高の下水管の源の電圧（v）	60
最高のゲート源電圧（v）	±20
最高のゲートの境界の電圧（v）	2
作動の接合部温度（°C）	-55から150
最高の連続的な下水管現在の（a）	0.23
最高のゲートの源の漏出流れ（nA）	10
最高IDSS （uA）	1
最高の下水管の源の抵抗（MOhm）	7500@5V
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	22@25V
典型的な逆の移動キャパシタンス@ Vds （pF）	2@25V
最低のゲートの境界の電圧（v）	1
典型的な出力キャパシタンス（pF）	11
最高の電力損失（MW）	400
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	11
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	7
最低の実用温度（°C）	-55
最高使用可能温度（°C）	150
製造者の温度の等級	コマーシャル
包装	テープおよび巻き枠
最高の肯定的なゲート源電圧（v）	20
PCB @ TC=25°Cの（a）最高の連続的な下水管の流れ	0.23
PCB @ TC=25°Cの（w）最高の電力損失	0.4
脈打つ最高は流れ@ TC=25°Cを流出させる（a）	0.8
PCB （°C/W）の最高の接続点の包囲された熱抵抗	318
典型的なダイオード前方電圧（v）	0.78
最高のダイオード前方電圧（v）	1.5
ピン・カウント	6
標準パッケージの名前	SOT
製造者のパッケージ	SOT-363
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	0.95
パッケージの長さ	2.15
パッケージの幅	1.3
PCBは変わった	6
鉛の形	カモメ翼